BSP130 |
RFQ for BSP130 |
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| Technical/Catalog Information | BSP130,115 |
| Vendor | NXP Semiconductors |
| Category | Discrete Semiconductor Products |
| Mounting Type | Surface Mount |
| FET Polarity | N-Channel |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 300V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 350mA |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6 Ohm @ 250mA, 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 120pF @ 25V |
| Power - Max | 1.5W |
| Packaging | Tape & Reel (TR) |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | - |
| Package / Case | SOT-223, SC-73, TO-261 (3 Leads + Tab) |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Drawing Number | 568; SOT223; ; |
| Lead Free Status | Lead Free |
| RoHS Status | RoHS Compliant |
| Other Names | BSP130,115 BSP130,115 |
| Product | Manufacturers | Pack | D/C |
| BSP130 | - | SOT-223-3 | 08+ |
N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor in a SOT223 envelope, intended for use as a line current interruptor in telephone sets and for applications in relay, high-speed and line transformer drivers
Features |
| · Direct interface to C-MOS, TTL, etc.· High-speed switching· No secondary breakdown |
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SYMBOL |
PARAMETER |
CONDITIONS |
MIN. |
MAX. |
UNIT | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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VDS |
drain-source voltage |
300 |
V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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±VGSO |
gate-source voltage |
open drain |
±20 |
V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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ID |
DC drain current |
300 |
mA | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IDM |
peak drain current |
1.4 |
A | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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Ptot |
total power dissipation |
up to Tamb = 25 °C; note 1 |
1.5 |
W | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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Tstg |
storage temperature |
-65 |
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